热量在半导体中主要通过声子传递。就像声音传播需要空气振动，热量传递需要声子携带能量运动。材料导热能力取决于声子运动速度、储热能力和自由运动距离。掺杂杂质（如硅中掺锗）会增加声子碰撞，就像道路上设置障碍物，导致导热性能下降——当0.5%硅原子被锗取代，导热率会从220骤降到50 W/m-K。但随着芯片元件缩小到纳米级别，传统导热理论出现偏差。最新研究发现：在纳米晶体管热点区域，掺杂竟能反常提升导热！这是因为纳米热源会激发"斜向声子"，这些声子对垂直方向传热贡献小。掺杂原子通过散射效应，就像台球碰撞改变方向，能将声子重新导向有效传热方向，使垂直热流提升。这项突破颠覆了传统"掺杂必然降低导热"的认知，为芯片散热带来新思路。
报名截止时间：3月3日（周一）上午9时。中心将从所有报名者中遴选15位左右思考深入的本科生参加本次活动。报名成功者将于3月3日下午5前收到由中心发出的短信和邮件确认通知。名额有限，快来报名吧！
